1.分压式偏置共射放大电路
这是一个典型的分(C压式偏置共射放大电路ommon Emitter Amplifier with Voltage Divider Bias)的分析题目。以下是针对图中三个问题的详细解答:
1. 写出 IEQ、IBQ、UCEQ 的表达式 (5分)
这是求解电路的静态工作点(DC Analysis)。通常采用估算法,假设流过偏置电阻 Rb1 和 Rb2 的电流远大于基极电流 IBQ。
- 求基极电压 (UBQ):
由于电容 C1 对直流开路,基极电位由 VCC 通过 Rb2 和 Rb1 分压决定。注意图中上方电阻为 Rb2,下方为 Rb1。
UBQ≈Rb1+Rb2Rb1VCC
- 求发射极电流 (IEQ):
发射极电位 UEQ=UBQ−UBE(UBE 为发射结导通电压,通常约为 0.7V)。
IEQ=ReUEQ=ReUBQ−UBE
代入 UBQ 的表达式:
IEQ≈ReRb1+Rb2Rb1VCC−UBE
- 求基极电流 (IBQ):
利用晶体管电流放大关系 IEQ=(1+β)IBQ:
IBQ=1+βIEQ
- 求集电极-发射极电压 (UCEQ):
对输出回路应用基尔霍夫电压定律(KVL)。由于 ICQ≈IEQ:
UCEQ=VCC−ICQRc−IEQRe≈VCC−IEQ(Rc+Re)
2. 画出该电路的交流等效电路 (3分)
绘制原则:
- 直流电源置零: VCC 接地(交流地)。
- 电容短路: 耦合电容 C1、C2 和旁路电容 Ce 在交流信号下视为短路。
- 晶体管模型化: 将三极管 T 替换为微变等效模型(输入端为电阻 rbe,输出端为受控电流源 βib)。
文字描述与结构:
- 输入回路: 输入信号 ui 经短路的 C1 连接到基极(B)。基极与地之间有偏置电阻 Rb1 和 Rb2 并联(因为 Rb2 上端接 VCC 交流地, Rb1 下端接地)。
- 晶体管: 基极(B)与发射极(E)之间是电阻 rbe。由于 Re 被 Ce 短路,发射极(E)直接接地。
- 输出回路: 集电极(C)与发射极(地)之间是一个受控电流源 βib(方向由 C 指向 E)。集电极与地之间还并联着集电极电阻 Rc 和负载电阻 RL(通过短路的 C2 连接)。
(示意图结构如下):
+--------+---------+ +-------+-------+
| | | | | |
| | | c | | |
ui ---+-- Rb1 -+- Rb2 -- B ----+ C -- Rc +-- RL--+-- uo
| | | | | | |
| | | rbe / \ | | |
| | | | ( \/ ) beta*ib | |
| | | | | | | |
+--------+---------+-----E-------+-------+-------+
_|_
/// (Ground)
(注:考试作答时请画出标准的电路符号图,其中 Rb1//Rb2 画在输入端,发射极接地,输出端 Rc//RL)
3. 根据交流等效电路,写出 Au、Ri 和 Ro 的表达式 (6分)
- 电压放大倍数 (Au):
- 输出电压:uo=−ic⋅(Rc//RL)=−βib(Rc//RL)
- 输入电压:ui=ibrbe (因为发射极接地,ui 直接加在 rbe 两端)
Au=uiuo=−rbeβ(Rc//RL)
(其中 Rc//RL 表示 Rc 与 RL 并联,即 Rc+RLRcRL)
- 输入电阻 (Ri):
从输入端看进去,是偏置电阻与晶体管输入电阻的并联。
Ri=Rb1//Rb2//rbe
或者写成:
Ri=Rb11+Rb21+rbe11
- 输出电阻 (Ro):
令输入信号 ui=0(短路),则 ib=0,受控电流源 βib 开路。从输出端(去掉负载 RL 后)看进去的电阻即为 Rc。
Ro=Rc